DATOS TÉCNICOS
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Potencia nominal |
455 W |
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Tecnologia del modulo |
HalfCell |
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Tensión de vacio (Voc) |
49.50 V |
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Tensión de Máxima Potencia (Vmp) |
41.70 V |
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Corriente de corticircuito (Isc) |
11.66 A |
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Corriente de Máxima Potencia (Imp) |
11 A |
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Coeficiente degradacion 1 |
0.02 |
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Coeficiente de temperatura de Pmax |
-0.35 %/ºC |
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Color de marco |
Silver |
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Color del Backshet |
Blanco |
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Garantía producción |
25 Años |
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Tipo de conector |
MC4 |
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Longitud Cable |
1400.00 |
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Tolerancia positiva |
1.10 % |
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Área de la célula |
137.00 mm2 |
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Coeficiente absorción |
0.90 |
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Coeficiente degradacion 2 |
0.01 |
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Coeficiente de temperatura de Isc |
0.05%/ºC |
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Coeficiente de temperatura de Voc |
-0.27%/ºC |
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Factor Calidad Diodo |
1000.00/Kelvin |
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Factor cuadrátivo Brev |
3200.00m A/V2 |
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Irradiancia de referencia |
1000.00 W/m2 |
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Masa de aire |
1500.00 |
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Mod Eficiencia |
20.90 |
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Número de células en Paralelo |
2.00 |
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Número de células en Serie |
72.00 |
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Número de diodos |
3.00 |
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Parametro Exponencial |
4.00 Ohmios |
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Resistencia Serie |
202.00 Ohmios |
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Resistencia Shunt |
225.00 Ohmios |
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Resistencia Shunt cuando Irradiancia=0 |
5200.00 Ohmios |
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SandiaAMCorr |
50000.00 |
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Temperatura de referencia |
25.00 ºC |
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Tensión Máxima IEC |
1500.00 V |
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Tensión Máxima UL |
1500.00 V |
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Tecnología |
mtSiMono |
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muGamma |
-0.0005 |
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RDiode |
10.00 |
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BRev |
10356.00 |
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